大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)学生党如何自W，14没有工具怎么自w到高c列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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