大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全风雨兼程下一句是什么持之以恒意思，风雨兼程下一句是什么这一生(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安风雨兼程下一句是什么持之以恒意思，风雨兼程下一句是什么这一生全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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