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　　悔辱的意思解释，悔辱的意思和拼音是什么rong>美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主悔辱的意思解释，悔辱的意思和拼音是什么(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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