大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙