大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约开钟点房很容易被警察查吗，开钟点房是不是容易被警察查为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合开钟点房很容易被警察查吗，开钟点房是不是容易被警察查(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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