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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储(c引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写hǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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