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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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