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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，42周是几个月，42周是几个月保质期影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安42周是几个月，42周是几个月保质期全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(42周是几个月，42周是几个月保质期zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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