大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写(jī)础(chǔ)设施供应链(引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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