大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安apm是什么牌子，amp牌子项链是什么档次全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bapm是什么牌子，amp牌子项链是什么档次ǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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