大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　三万日元等于多少人民币多少trong>美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ三万日元等于多少人民币多少)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从三万日元等于多少人民币多少此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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