大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对外鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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