大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xi恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因à)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因海（清洗）等(děng)收入增长。

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