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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美(mě猫肠胃不好老是吐怎么办，猫咪隔三差五吐但是精神很好i)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)猫肠胃不好老是吐怎么办，猫咪隔三差五吐但是精神很好户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛猫肠胃不好老是吐怎么办，猫咪隔三差五吐但是精神很好(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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