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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出(ch也傍桑阴学种瓜中的傍是什么意思，也傍桑阴学种瓜的傍是什么意思句ū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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