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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律孙悟空真实存在过吗法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá孙悟空真实存在过吗)人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(孙悟空真实存在过吗qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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