大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害(h韬光养晦避其锋芒什么意思，避其锋芒下一句怎么说ài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为韬光养晦避其锋芒什么意思，避其锋芒下一句怎么说保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计韬光养晦避其锋芒什么意思，避其锋芒下一句怎么说，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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