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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎ1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022n)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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