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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨北约可以灭掉俄罗斯吗，北约为什么对抗俄罗斯头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(北约可以灭掉俄罗斯吗，北约为什么对抗俄罗斯tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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