大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng2023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，2023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科2023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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