大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

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　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shā环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语ng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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