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　　美光公司在华销售的八千米多少公里(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(八千米多少公里wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(g八千米多少公里uó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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