大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防芹菜榨汁要开水焯一下吗，芹菜榨汁用生的好还是熟的好范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)芹菜榨汁要开水焯一下吗，芹菜榨汁用生的好还是熟的好场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　<芹菜榨汁要开水焯一下吗，芹菜榨汁用生的好还是熟的好strong>分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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