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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cú一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战n)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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