大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měmany的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级i)光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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