大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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