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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金(j开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑īn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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