大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安根号20等于多少 化简 根号怎么算全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下根号20等于多少 化简 根号怎么算游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗根号20等于多少 化简 根号怎么算）等收入增长。

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