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印信是什么意思? 印信和书信一样吗

印信是什么意思? 印信和书信一样吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安印信是什么意思? 印信和书信一样吗全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22印信是什么意思? 印信和书信一样吗.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(印信是什么意思? 印信和书信一样吗chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制,或将导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo),催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露(lù),薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān),设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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