大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(z纸张是16k大还是32k大 16k纸和32k纸有什么区别ài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此纸张是16k大还是32k大 16k纸和32k纸有什么区别前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，纸张是16k大还是32k大 16k纸和32k纸有什么区别长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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