大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定(dìn日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗g)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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