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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zh1元等于多少伊朗币，1元人民币等于多少伊朗元ào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì1元等于多少伊朗币，1元人民币等于多少伊朗元)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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