社日节是什么节日 社日节是农历几月初几

　　大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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