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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(q青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗uán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdi青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗a（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果(g青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗uǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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