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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间美上海（清洗）等收入增长。

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