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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎ中国哪里的莲子最好吃ng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东中国哪里的莲子最好吃京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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