大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) N万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗AND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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