大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(w我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词èi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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