大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审田井读什么字，畊和耕的区别查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(c田井读什么字，畊和耕的区别hǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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