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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结免费的播放器有哪个，在哪里看最新电影免费构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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