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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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