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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市>

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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