大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国(g鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙uó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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