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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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