大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储(c不朽的意思hǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīn不朽的意思g)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D 不朽的意思NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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