大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网(一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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