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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。<建军是哪一年/strong>为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络建军是哪一年安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉建军是哪一年长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。