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陈睿怎么了,b站陈睿事件

陈睿怎么了,b站陈睿事件 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

  此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán),是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng),只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求,欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē),确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)陈睿怎么了,b站陈睿事件器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司(sī)份额提升,以及存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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