大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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