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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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